מספר מוצר של יצרן:
STP8NM60
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP8NM60-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12880241
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP8NM60 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP8N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1026-STP8NM60
497-5397-5
STP8NM60-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFBC40PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1796
DiGi מספר חלק
IRFBC40PBF-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBC40LCPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1068
DiGi מספר חלק
IRFBC40LCPBF-DG
מחיר ליחידה
1.84
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP80R1K2P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
5
DiGi מספר חלק
IPP80R1K2P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBC40APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
482
DiGi מספר חלק
IRFBC40APBF-DG
מחיר ליחידה
0.98
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
STP110N8F6
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
STH410N4F7-6AG
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
