IPP80R1K2P7XKSA1
מספר מוצר של יצרן:

IPP80R1K2P7XKSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPP80R1K2P7XKSA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

מלאי:

5 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804090
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPP80R1K2P7XKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
300 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
37W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80R1

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-IPP80R1K2P7XKSA1-448
SP001644606
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRFR4104TRRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

infineon-technologies

IRFR9N20DTRLPBF

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

infineon-technologies

IRF4905LPBF

MOSFET P-CH 55V 42A TO262

infineon-technologies

IRFB3006GPBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB