מספר מוצר של יצרן:
STP3NK60Z
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP3NK60Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
5888 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877507
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP3NK60Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
311 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP3NK60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-7525-5
1805-STP3NK60Z
497-7525-5
STP3NK60Z-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFBC20PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
7738
DiGi מספר חלק
IRFBC20PBF-DG
מחיר ליחידה
0.47
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBC30APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1483
DiGi מספר חלק
IRFBC30APBF-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP4N80P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP4N80P-DG
מחיר ליחידה
1.10
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBC30PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
17159
DiGi מספר חלק
IRFBC30PBF-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW22NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
STF8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
STD4NK50ZD-1
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
