IRFBC30APBF
מספר מוצר של יצרן:

IRFBC30APBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFBC30APBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

1483 יחידות חדשות מק originales במלאי
12867869
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFBC30APBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
510 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFBC30

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
*IRFBC30APBF
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
micro-commercial-components

SI3420A-TP

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

vishay-siliconix

IRF740S

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK7C3R8-80EJ

MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7

vishay-siliconix

IRF9Z30PBF

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB