מספר מוצר של יצרן:
STP18NM60N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP18NM60N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
375 יחידות חדשות מק originales במלאי
12876683
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP18NM60N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1000 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP18
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-10305-5
-497-10305-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW14NK60Z
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
STB70NF03L-1
MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK
STP10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
