STP10NM60N
מספר מוצר של יצרן:

STP10NM60N

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STP10NM60N-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220

מלאי:

1163 יחידות חדשות מק originales במלאי
12876689
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STP10NM60N מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
540 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
497-9098-5
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STH410N4F7-2AG

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2

stmicroelectronics

STW45NM50

MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3

stmicroelectronics

STWA75N60M6

MOSFET N-CH 600V 72A TO247

stmicroelectronics

STD180N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK