מספר מוצר של יצרן:
STP12N60M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP12N60M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12877822
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP12N60M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
538 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-16020-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCP7N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
FCP7N60-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP8N65X2M
יצרן
IXYS
כמות זמינה
46
DiGi מספר חלק
IXTP8N65X2M-DG
מחיר ליחידה
1.27
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP8N70X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
28
DiGi מספר חלק
IXTP8N70X2-DG
מחיר ליחידה
1.74
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCP600N60Z
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
781
DiGi מספר חלק
FCP600N60Z-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP8N70X2M
יצרן
IXYS
כמות זמינה
12
DiGi מספר חלק
IXTP8N70X2M-DG
מחיר ליחידה
1.43
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
STW43NM60ND
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
STP21NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
