STI6N80K5
מספר מוצר של יצרן:

STI6N80K5

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STI6N80K5-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

מלאי:

12881221
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
KffI
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STI6N80K5 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
SuperMESH5™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
255 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI6

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
497-15017-5
-497-15017-5
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

IRFBE20S

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF9640S

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

stmicroelectronics

STU4N62K3

MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK

stmicroelectronics

STL60N10F7

MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT