מספר מוצר של יצרן:
STI10N62K3
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI10N62K3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
850 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945630
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI10N62K3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH3™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
620 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1250 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI10N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-12256
-497-12256
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AOW11N60
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
773
DiGi מספר חלק
AOW11N60-DG
מחיר ליחידה
0.82
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFSL9N60APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
900
DiGi מספר חלק
IRFSL9N60APBF-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
STP90NF03L
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB