מספר מוצר של יצרן:
STW30NM60N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW30NM60N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12945635
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW30NM60N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
91 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2700 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW30N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-8457-5
-497-8457-5
1805-STW30NM60N
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTH26N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTH26N60P-DG
מחיר ליחידה
5.53
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW60R099CPAFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
196
DiGi מספר חלק
IPW60R099CPAFKSA1-DG
מחיר ליחידה
4.16
סוג משאב
Similar
מספר חלק
APT6025BVRG
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
43
DiGi מספר חלק
APT6025BVRG-DG
מחיר ליחידה
11.74
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG28N65EF-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG28N65EF-GE3-DG
מחיר ליחידה
3.75
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH26N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH26N60P-DG
מחיר ליחידה
4.36
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
STP90NF03L
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
STW40NF20
MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
