מספר מוצר של יצרן:
STFW3N170
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STFW3N170-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
תיאור מפורט:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-3PF
מלאי:
12873849
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STFW3N170 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
PowerMESH™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PF
חבילה / מארז
TO-3P-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STFW3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-16308-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STN2NE10
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
STSJ60NH3LL
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
STP120NF10
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
