מספר מוצר של יצרן:
STN2NE10
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STN2NE10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
מלאי:
12873852
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STN2NE10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
STripFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
305 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-223
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
STN2N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFL4310TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
23839
DiGi מספר חלק
IRFL4310TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FQT7N10LTF
יצרן
onsemi
כמות זמינה
55
DiGi מספר חלק
FQT7N10LTF-DG
מחיר ליחידה
0.22
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRLL110TRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
15402
DiGi מספר חלק
IRLL110TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STSJ60NH3LL
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
STP120NF10
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
STB60NE06L-16T4
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
