מספר מוצר של יצרן:
STFI15N60M2-EP
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STFI15N60M2-EP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
מלאי:
1496 יחידות חדשות מק originales במלאי
12876268
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STFI15N60M2-EP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
378mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
590 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAKFP (TO-281)
חבילה / מארז
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
מספר מוצר בסיסי
STFI15N
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15957-5
-497-15957-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF15N60M2-EP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1555
DiGi מספר חלק
STF15N60M2-EP-DG
מחיר ליחידה
0.70
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STH185N10F3-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
STN3NF06
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
STD11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
