מספר מוצר של יצרן:
STH185N10F3-2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STH185N10F3-2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
מלאי:
12876269
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STH185N10F3-2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
STripFET™ F3
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
114.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6665 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
315W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
H2PAK-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STH185
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-15311-1
497-15311-6
-497-15311-2
497-15311-2
497-15311-1
-497-15311-6
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STH180N10F3-2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STH180N10F3-2-DG
מחיר ליחידה
2.44
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IRF100S201
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2305
DiGi מספר חלק
IRF100S201-DG
מחיר ליחידה
1.63
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN5R0-80BS,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
4275
DiGi מספר חלק
PSMN5R0-80BS,118-DG
מחיר ליחידה
1.13
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STN3NF06
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
STD11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
STW70N60DM6
MOSFET N-CH 600V 62A TO247
