מספר מוצר של יצרן:
STD6N65M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STD6N65M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
2496 יחידות חדשות מק originales במלאי
12872660
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STD6N65M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
226 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
STD6N65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-15049-6
497-15049-1
497-15049-2
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD70R1K4P7SAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
20689
DiGi מספר חלק
IPD70R1K4P7SAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPD04N80C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
21919
DiGi מספר חלק
SPD04N80C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.62
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STF7N52DK3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
STH15NB50FI
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
