מספר מוצר של יצרן:
SPD04N80C3ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPD04N80C3ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
21919 יחידות חדשות מק originales במלאי
12808094
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPD04N80C3ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 240µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
570 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SPD04N80
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SPD04N80C3ATMA1TR
SPD04N80C3ATMA1DKR
SP001117768
SPD04N80C3ATMA1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIPC14N80C3X1SA2
TRANSISTOR N-CH
SPI80N03S2L-04
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
SPP42N03S2L13
MOSFET N-CH 30V 42A TO220-3