מספר מוצר של יצרן:
STB25N80K5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB25N80K5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 19.5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
630 יחידות חדשות מק originales במלאי
12877727
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB25N80K5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperMESH5™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
260mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1600 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB25
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-13640-1
497-13640-2
497-13640-6
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCB290N80
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1509
DiGi מספר חלק
FCB290N80-DG
מחיר ליחידה
2.86
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPB17N80C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1942
DiGi מספר חלק
SPB17N80C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
2.06
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHB24N80AE-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
584
DiGi מספר חלק
SIHB24N80AE-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.49
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB75NF75T4
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
STL45N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
STP26N60M2
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
