מספר מוצר של יצרן:
STP26N60M2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP26N60M2-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12877742
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP26N60M2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
±25V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
169W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP26
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK17E65W,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
12
DiGi מספר חלק
TK17E65W,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP60R170CFD7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
425
DiGi מספר חלק
IPP60R170CFD7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.31
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6022YNX3C16
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
998
DiGi מספר חלק
R6022YNX3C16-DG
מחיר ליחידה
1.30
סוג משאב
Similar
מספר חלק
AOT27S60L
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
3844
DiGi מספר חלק
AOT27S60L-DG
מחיר ליחידה
1.66
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD100N3LF3
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STD2NM60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STD7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK