מספר מוצר של יצרן:
STB12NM60N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB12NM60N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12870822
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB12NM60N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
960 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
90W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB12N
מידע נוסף
שמות אחרים
STB12NM60N-DG
1805-STB12NM60NCT
497-7931-6
-497-7931-2
-497-7931-1
497-7931-2
1805-STB12NM60NTR
-497-7931-6
497-7931-1
1805-STB12NM60NDKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R6011ENJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6011ENJTL-DG
מחיר ליחידה
1.56
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCB11N60TM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
135
DiGi מספר חלק
FCB11N60TM-DG
מחיר ליחידה
1.43
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6011KNJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6011KNJTL-DG
מחיר ליחידה
0.87
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD13NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
7475
DiGi מספר חלק
STD13NM60N-DG
מחיר ליחידה
1.14
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STW58N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
STS15N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
