בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
FCB11N60TM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCB11N60TM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
135 יחידות חדשות מק originales במלאי
12835961
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCB11N60TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperFET™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1490 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FCB11N60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
FCB11N60
גיליונות נתונים
FCB11N60TM
גיליון נתונים של HTML
FCB11N60TM-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FCB11N60TM
FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLTR-DG
FCB11N60TMDKR
FCB11N60TM_NLCT-DG
FCB11N60TM_NL
FCB11N60TMCT
FCB11N60TMCT-NDR
FCB11N60TMTR
FCB11N60TM_NLTR
FCB11N60TMTR-NDR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTA12N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTA12N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.28
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFA12N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
288
DiGi מספר חלק
IXFA12N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.82
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6011ENJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6011ENJTL-DG
מחיר ליחידה
1.56
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB11NM80T4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB11NM80T4-DG
מחיר ליחידה
3.81
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB13NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
STB13NM60N-DG
מחיר ליחידה
2.21
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
6HP04CH-TL-W
MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FDP3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3