מספר מוצר של יצרן:
STB11NM60FDT4
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB11NM60FDT4-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12879216
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB11NM60FDT4 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
FDmesh™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB11
מידע נוסף
שמות אחרים
497-3511-1-NDR
497-3511-6-NDR
497-3511-1
497-3511-2
497-3511-2-NDR
497-3511-6
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R6007KNJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
17
DiGi מספר חלק
R6007KNJTL-DG
מחיר ליחידה
0.74
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFA14N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
IXFA14N60P-DG
מחיר ליחידה
2.25
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTA14N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
235
DiGi מספר חלק
IXTA14N60P-DG
מחיר ליחידה
2.12
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6009KNJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6009KNJTL-DG
מחיר ליחידה
0.74
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6009ENJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6009ENJTL-DG
מחיר ליחידה
1.16
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STI18N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
STU95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
STP14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB