מספר מוצר של יצרן:
STU95N2LH5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STU95N2LH5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
מלאי:
12879224
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STU95N2LH5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
STripFET™ V
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.4 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1817 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STU95
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
STU95N2LH5-DG
-497-12703-5
497-12703-5
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STP14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STF15NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
