מספר מוצר של יצרן:
SCT20N120H
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
SCT20N120H-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
מלאי:
12945620
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCT20N120H מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+25V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
175W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 200°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
H2PAK-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SCT20
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-SCT20N120HCT
SCT20N120H-DG
497-SCT20N120HTR
497-SCT20N120HDKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
G3R75MT12K
יצרן
GeneSiC Semiconductor
כמות זמינה
897
DiGi מספר חלק
G3R75MT12K-DG
מחיר ליחידה
7.41
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SCT3160KLGC11
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2223
DiGi מספר חלק
SCT3160KLGC11-DG
מחיר ליחידה
5.38
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
STP20N60M2-EP
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
STP9NK70ZFP
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
