מספר מוצר של יצרן:
SCT3160KLGC11
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SCT3160KLGC11-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
מלאי:
2223 יחידות חדשות מק originales במלאי
13527019
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCT3160KLGC11 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.6V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+22V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
398 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
103W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247N
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SCT3160
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
RQ5P010SNTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3