מספר מוצר של יצרן:
IRFP250
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFP250-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 33A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12875904
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFP250 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
PowerMESH™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
33A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
158 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2850 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
180W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IRFP
מידע נוסף
שמות אחרים
497-2639-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP250PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFP250PBF-DG
מחיר ליחידה
1.69
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STS2DPFS20V
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
STF10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
SCT30N120D2
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
