מספר מוצר של יצרן:
STP18N60M6
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP18N60M6-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12875916
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP18N60M6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP18
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCP220N80
יצרן
onsemi
כמות זמינה
180
DiGi מספר חלק
FCP220N80-DG
מחיר ליחידה
4.93
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
STU6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
