STP18N60M6
מספר מוצר של יצרן:

STP18N60M6

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STP18N60M6-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 13A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

מלאי:

12875916
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STP18N60M6 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP18

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
FCP220N80
יצרן
onsemi
כמות זמינה
180
DiGi מספר חלק
FCP220N80-DG
מחיר ליחידה
4.93
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STI32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK

stmicroelectronics

STH52N10LF3-2AG

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

stmicroelectronics

STU6N60DM2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

stmicroelectronics

STL15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV