מספר מוצר של יצרן:
RT1A045APTCR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RT1A045APTCR-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
מלאי:
13527013
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RT1A045APTCR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
-8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4200 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
650mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-TSST
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
מספר מוצר בסיסי
RT1A045
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
מידע נוסף
שמות אחרים
RT1A045APTCRDKR
RT1A045APTCRCT
RT1A045APTCRTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
