RS6L090BGTB1

מספר מוצר של יצרן:

RS6L090BGTB1

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

RS6L090BGTB1-DG

תיאור:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

מלאי:

2206 יחידות חדשות מק originales במלאי

12990010

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

RS6L090BGTB1 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

ROHM Semiconductor

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

90A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

28 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1950 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3W (Ta), 73W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-HSOP

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

RS6L090BGTB1-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

846-RS6L090BGTB1CT

846-RS6L090BGTB1DKR

846-RS6L090BGTB1TR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506