מספר מוצר של יצרן:
RS6P060BHTB1
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RS6P060BHTB1-DG
תיאור:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
מלאי:
2290 יחידות חדשות מק originales במלאי
12990015
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RS6P060BHTB1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1560 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 73W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSOP
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
RS6P060
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-RS6P060BHTB1DKR
846-RS6P060BHTB1TR
846-RS6P060BHTB1CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RD3L03BBGTL1
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
DMTH45M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH45M5SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
