בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
RS1E240GNTB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RS1E240GNTB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 72A (Tc) 3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
מלאי:
11691 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525471
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RS1E240GNTB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Ta), 72A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 27W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSOP
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
RS1E
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
RS1E240GNTB
HSMT8 TB Taping Spec
מידע נוסף
שמות אחרים
RS1E240GNTBDKR
RS1E240GNTBCT
RS1E240GNTBTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
RW1A030APT2CR
MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
RHP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT