RQ3E120ATTB

מספר מוצר של יצרן:

RQ3E120ATTB

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

RQ3E120ATTB-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

תיאור מפורט:

P-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

מלאי:

21620 יחידות חדשות מק originales במלאי

13525487

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

RQ3E120ATTB מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

ROHM Semiconductor

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

12A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

62 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3200 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2W (Ta)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-HSMT (3.2x3)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

RQ3E120

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

RQ3E120ATTB HSMT8 TB Taping Spec

מידע נוסף

שמות אחרים

RQ3E120ATTBTR

RQ3E120ATTBCT

RQ3E120ATTBDKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

rohm-semi

RQ3E120BNTB

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT

rohm-semi

R5016FNX

MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM

rohm-semi

RQ6A045ZPTR

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

rohm-semi

RD3L08BGNTL

MOSFET N-CH 60V 80A TO252