מספר מוצר של יצרן:
RDX080N50FU6
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RDX080N50FU6-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
מלאי:
13526691
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RDX080N50FU6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
920 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FM
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
RDX080
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK8A50D(STA4,Q,M)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
43
DiGi מספר חלק
TK8A50D(STA4,Q,M)-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RQ6E085BNTCR
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
ZDX130N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM