מספר מוצר של יצרן:
RQ6E085BNTCR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RQ6E085BNTCR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
מלאי:
3490 יחידות חדשות מק originales במלאי
13526693
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RQ6E085BNTCR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TSMT6 (SC-95)
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
RQ6E085
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RQ6E085BNTCRCT
RQ6E085BNTCRDKR
RQ6E085BNTCRTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
ZDX130N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RCX300N20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
