מספר מוצר של יצרן:
RCD080N25TL
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RCD080N25TL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 8A (Ta) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
מלאי:
5359 יחידות חדשות מק originales במלאי
13524229
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RCD080N25TL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1440 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
850mW (Ta), 20W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
CPT3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
RCD080
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RCD080N25TLCT
RCD080N25TLTR
RCD080N25TLDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6020KNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
RCD040N25TL
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
