מספר מוצר של יצרן:
R6020KNZ1C9
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6020KNZ1C9-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
13524233
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6020KNZ1C9 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
231W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
R6020KNZ1C9CTINACTIVE
R6020KNZ1C9CT
R6020KNZ1C9TR-ND
R6020KNZ1C9DKR-ND
R6020KNZ1C9DKRINACTIVE
R6020KNZ1C9TR
R6020KNZ1C9CT-ND
R6020KNZ1C9DKR
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFH42N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH42N60P3-DG
מחיר ליחידה
4.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCH190N65F-F155
יצרן
onsemi
כמות זמינה
415
DiGi מספר חלק
FCH190N65F-F155-DG
מחיר ליחידה
2.95
סוג משאב
Direct
מספר חלק
IXTH24N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
268
DiGi מספר חלק
IXTH24N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.98
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFK36N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFK36N60P-DG
מחיר ליחידה
8.34
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH36N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH36N60P-DG
מחיר ליחידה
6.71
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RCD040N25TL
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
R6020ENZC8
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
