מספר מוצר של יצרן:
R6030JNZ4C13
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6030JNZ4C13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247G
מלאי:
522 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525632
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6030JNZ4C13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
7V @ 5.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
74 nC @ 15 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2500 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
370W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247G
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
R6030
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
RSY160P05TL
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
