מספר מוצר של יצרן:
RQ3E160ADTB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RQ3E160ADTB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
מלאי:
17994 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525636
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RQ3E160ADTB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
51 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2550 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-HSMT (3.2x3)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
RQ3E160
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RQ3E160ADTBCT
RQ3E160ADTBTR
RQ3E160ADTBDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RSY160P05TL
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
RQ5C025TPTL
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
RCD075N19TL
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
