מספר מוצר של יצרן:
R6020YNZ4C13
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6020YNZ4C13-DG
תיאור:
NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 182W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
600 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001126
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6020YNZ4C13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
185mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 1.65mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
182W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
R6020
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6020YNZ4C13
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RQ6P020ATTCR
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
RX3P12BATC16
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
R6022YNXC7G
NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
