מספר מוצר של יצרן:
R6022YNZ4C13
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6022YNZ4C13-DG
תיאור:
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247G
מלאי:
600 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001130
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6022YNZ4C13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 1.8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
205W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247G
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
R6022
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6022YNZ4C13
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6014YND3TL1
NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
R6014YNX3C16
NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
PJQ5453E-AU_R2_002A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
