R6007RND3TL1
מספר מוצר של יצרן:

R6007RND3TL1

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

R6007RND3TL1-DG

תיאור:

600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount TO-252

מלאי:

3070 יחידות חדשות מק originales במלאי
12995561
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

R6007RND3TL1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
940mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
7V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17.5 nC @ 15 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
460 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
R6007

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
846-R6007RND3TL1CT
846-R6007RND3TL1TR
846-R6007RND3TL1DKR
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
rohm-semi

R6009RND3TL1

600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I

epc-space

EPC7004BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

stmicroelectronics

STL52N60DM6

N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,

infineon-technologies

ISC019N04NM5ATMA1

40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8