מספר מוצר של יצרן:
STL52N60DM6
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STL52N60DM6-DG
תיאור:
N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 45A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
מלאי:
2750 יחידות חדשות מק originales במלאי
12995570
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STL52N60DM6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ DM6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
84mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2468 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
174W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerFlat™ (8x8) HV
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-STL52N60DM6CT
497-STL52N60DM6TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ISC019N04NM5ATMA1
40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
BUK9Y7R6-40E/DMANX
MOSFET
UJ4C075033K3S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
