מספר מוצר של יצרן:
R6004PND3FRATL
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6004PND3FRATL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
4541 יחידות חדשות מק originales במלאי
12953981
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6004PND3FRATL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.8Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
280 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
65W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
R6004
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6004PND3FRATLTR
846-R6004PND3FRATLCT
846-R6004PND3FRATLDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TQM250NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU
SISS32ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
2SJ325-AY
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
