מספר מוצר של יצרן:
IRFBC30PBF-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFBC30PBF-BE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
915 יחידות חדשות מק originales במלאי
12954006
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFBC30PBF-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
660 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFBC30
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-IRFBC30PBF-BE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCH041N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
BTS240AHKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRLU024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
