מספר מוצר של יצרן:
HP8S36TB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
HP8S36TB-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
מלאי:
13525387
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HP8S36TB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
טכנולוגיה
-
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A, 80A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6100pF @ 15V
הספק - מקס'
29W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-HSOP
מספר מוצר בסיסי
HP8S36
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
HP8S36TBDKR
HP8S36TBTR
HP8S36TBCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
