מספר מוצר של יצרן:
US6M11TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
US6M11TR-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount TUMT6
מלאי:
13750 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525404
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
US6M11TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V, 12V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A, 1.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1.8nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
110pF @ 10V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
חבילת מכשירים לספקים
TUMT6
מספר מוצר בסיסי
US6M11
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
משאבי עיצוב
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
US6M11CT
US6M11DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
