HP8MA2TB1

מספר מוצר של יצרן:

HP8MA2TB1

Product Overview

יצרן:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

HP8MA2TB1-DG

תיאור:

MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP

תיאור מפורט:

Mosfet Array 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

מלאי:

2354 יחידות חדשות מק originales במלאי

13524874

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

HP8MA2TB1 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

ROHM Semiconductor

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

N and P-Channel

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

18A (Ta), 15A (Ta)

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

22nC @ 10V, 25nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V

הספק - מקס'

3W (Ta)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירים לספקים

8-HSOP

מספר מוצר בסיסי

HP8MA2

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

HP8MA2TB1CT

HP8MA2TB1TR

HP8MA2TB1DKR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

rohm-semi

SP8K33FRATB

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

rohm-semi

US6J2TR

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

rohm-semi

SH8M13GZETB

MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP

rohm-semi

QS8J5TR

MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8