מספר מוצר של יצרן:
US6J2TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
US6J2TR-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6
מלאי:
5854 יחידות חדשות מק originales במלאי
13524886
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
US6J2TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.1nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
150pF @ 10V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
חבילת מכשירים לספקים
TUMT6
מספר מוצר בסיסי
US6J2
מידע נוסף
שמות אחרים
US6J2DKR
US6J2CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF7104TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3696
DiGi מספר חלק
IRF7104TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SH8M13GZETB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
QS8J5TR
MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
SP8K5TB
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOP