מספר מוצר של יצרן:
HP8K22TB
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
HP8K22TB-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
מלאי:
4757 יחידות חדשות מק originales במלאי
13525026
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HP8K22TB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
-
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A, 57A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.8nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1080pF @ 15V
הספק - מקס'
25W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-HSOP
מספר מוצר בסיסי
HP8K22
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
HP8K22TBCT
HP8K22TBDKR
HP8K22TBTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SP8M51TB1
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
SP8K1FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
