מספר מוצר של יצרן:
TT8M2TR
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
TT8M2TR-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V, 20V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST
מלאי:
13525091
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TT8M2TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V, 20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.2nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
180pF @ 10V
הספק - מקס'
1.25W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
8-TSST
מספר מוצר בסיסי
TT8M2
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTHD3100CT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
5410
DiGi מספר חלק
NTHD3100CT1G-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SP8K1FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
VT6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
SH8M51GZETB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
