מספר מוצר של יצרן:
EM6M1T2R
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
EM6M1T2R-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
מלאי:
13521832
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EM6M1T2R מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V, 20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100mA, 200mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.9nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13pF @ 5V
הספק - מקס'
150mW
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
EMT6
מספר מוצר בסיסי
EM6M1
מידע נוסף
שמות אחרים
Q8377399
EM6M1T2RTR
EM6M1T2RCT
EM6M1T2RDKR
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTJD4158CT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
14230
DiGi מספר חלק
NTJD4158CT1G-DG
מחיר ליחידה
0.09
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SI1035X-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
6387
DiGi מספר חלק
SI1035X-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.12
סוג משאב
Similar
מספר חלק
NX3008CBKV,115
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
15002
DiGi מספר חלק
NX3008CBKV,115-DG
מחיר ליחידה
0.06
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSM080D12P2C008
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6